Transistor, indicato anche come un transistore di giunzione bipolare, l'equivalente di due giunzione PN diodo back to back. Avanti bias fori di nodo EB iniettati dalla regione di emettitore, durante la quale la maggior parte del contorno del foro per raggiungere il collettore e CB nella barriera di giunzione polarizzazione inversa sotto l'azione del campo elettrico di raggiungere la regione di collezionista, formano la corrente di collettore IC. Nel circuito di transistor emettitore comune, lancia nel circuito di base sta correndo per la tensione di polarizzazione goccia è molto piccola.
500 ω collettore c'è una caduta di tensione attraverso la resistenza di carico VRC = 10mA * 500 ω = 5V, caduta di tensione del transistor tra collettore ed emettitore per VCE = 5V, se una base alternata accatastamento nel circuito di bias per IB corrente di piccolo, appare nel circuito collettore una corrente alternata corrispondente IC, c/IB = beta, transistore bipolare #39; attuale amplificazione s è realizzato.
La maggior parte del collettore bias tensione tra l'emettitore e viene aggiunto sul collettore d'inverso parziale. Poiché VBE è molto piccola, così la base attuale è circa IB = 5V / 50k ω = 0.1 ma. Se il transistor #39; corrente amplificando β coefficiente dell'emettitore di s = IC/IB = 100, collettore corrente IC = beta * IB = 10mA.